1、概述
LT-100C高频光电导少数载流子寿命测试仪是参照半导体设备和材料组织SEMI标准（MF28-0707、MF1535-0707）及国家标准GB/T1553-1997设计制造。本设备采用高频光电导衰减测量方法，适用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量，由于对样块体形无严格要求，因此广泛应用于工厂的常规测量。寿命测量可灵敏地反映单晶体重金属污染及缺陷存在的情况，是单晶质量的重要检测项目。
LT-100C型寿命仪是LT-1（基本型）的升级换代产品，在低阻硅单晶测量时，采用了全新理念，使信噪比提高了数十倍至数百倍，将硅单晶寿命测量下限从ρ＞3Ω·cm，延伸到ρ≥0.3Ω?cm，除能测量高阻单晶外亦可满足太阳电池级硅片（裸片）的测试要求，仪器既可测量硅块亦可测量硅片（硅片可放在托架上测量）。
该仪器为了能直接读取寿命值编写了特殊的软件存入数字存储示波器，这些软件依照少子寿命测量的基本原理编写，同时采用了标准（MF28及MF1535）中推荐的几种读数方法。
该仪器扩大了晶体少子寿命可测范围，除配置了波长为1.07μm的红外发光管外，增加配备了波长为0.904～0.905μm光强更强的红外激光器，减小了光源的余辉，使晶体（研磨面）可测电阻率低至0.3Ω·cm，寿命可测下限延至0.25μs。
LT-100C型寿命仪配有两种光源电极台，一种波长为1.07μm，适合于测量硅单晶块或棒的体寿命；另一种波长为0.904～0.905μm，适合于测量切割或研磨太阳能硅片的相对寿命，与微波反射法测量条件相近，因此测量值也较接近。
2、技术参数
（1）仪器测量范围：
少子寿命测量范围：0.25μS～10ms；晶体样品（研磨面）电阻率下限≥0.3Ω·cm，尚未发现电阻率测量上限。
型号：N型或P型单晶或铸造多晶。
（2）光脉冲发生装置
重复频率＞15次/S 脉宽≥10μs
红外光源长波长：1.06～1.08μm 脉冲电流：5A～16A
红外光源短波长：0.904～0.905μm 脉冲电流：5A～16A
（3）高频源
频率：30MHZ 低输出阻抗 输出功率＞1W
（4）放大器和检波器
频率响应：2HZ～2MHZ
放大倍数：30倍（约）
（5）仪器所配置的光源电极台既可测纵向放置的单晶，亦可测量竖放单晶横截面的寿命。配置增加了测量低阻样片用的升降台以及装有特殊弹形电极的光源电极台。
（6）读数方式：可选配载流子寿命专用测试软件系统或专用数字示波器读数，软件系统测试操作简单，点击“测量”即可，自动保存数据及相应测试点衰减波形到数据库，可进行查询历史数据和导出历史数据等操作。
