技术参数

（1）寿命测试范围：5~10000μs；电阻率测量范围：ρ≥2Ω·cm；
测电子级参杂硅单晶片（厚度小于 1mm），电阻率范围：ρ＞0.1Ω·cm（表面可能需要抛光处理）。
测量重复性误差≤±20%。
（2）光脉冲发生装置
重复频率＞20~30次/s，光脉冲关断时间：0.2~1μs，余辉＜1μs
红外光源波长：1.06～1.09μm（测量硅单晶），红外光在硅单晶内穿透深1度大于500μm如测量锗单晶寿命需另行配置适当波长的光源